逆变电路开关管

     逆变电路开关管采用4个绝缘栅双极晶体管构成的推挽电路。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的开通和关断受栅极控制，对驱动电路有较为严格的要求，驱动电路性能的优劣是逆变电路能否可靠工作的前提。逆变电路整形电路如图2所示。需要注意的是，因为整流期间器件都是工作在高频下，所以器件需采用能够高速响应的产品。如果不能高速响应就会使控制波形的变形，从而造成器件过热容易烧毁。脉冲控制芯片产生的三角波经过非门变成方波加在D触发器的CLK端，方波通过非门仍为方波，但方波较波形整齐。而从单片机过来的主变压器控制信号分别加到两个D触发器的D端，如图2所示。D触发器信号在CLK上升沿时变化，分别输出两组四只方波。脉冲控制芯片3脚的Vx是从喷枪过流保护信号放大电路即稳弧电路，其可以通过Vx的变化改变脉冲控制芯片方波的相位，即表现为由两个D触发器产生两组有相位差的方波，从而使后面控制4个两两串联的IGBT的控制信号也有相位差。